铠侠评估建新厂，SK海力士要将DRAM产能翻倍

AI浪潮持续推高存储芯片需求，两大巨头相继释放扩产信号。日本NAND Flash大厂铠侠于6月2日宣布启动新厂房建设评估，目标2029年后投产；韩国SK集团董事长崔泰源则在Computex Taipei上承诺，SK海力士五年内将DRAM产能增加一倍。然而两家公司同时警告，由AI驱动的缺货潮仍将持续多年，远水难解近渴。

NAND Flash持续供不应求，铠侠开始评估建新厂

6月3日消息，据日经新闻报道，为了应对市场旺盛的需求，日本NAND Flash大厂铠侠（Kioxia）开始评价兴建新厂房，受该消息影响，铠侠股价于6月3日盘中一度大涨超7%，刷新历史新高纪录，市值更一度超越丰田汽车（Toyota）。今年以来铠侠股价累计暴涨了约660%。

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报道称，铠侠社长太田裕雄在6月2日召开的法人说明会上表示，关于在北上工厂兴建新厂房，“已开始启动相关评估”。目标在2029-2030年以后投产，通过投资增产以应对旺盛的需求。目前铠侠主要利用日本四日市工厂和北上工厂生产NAND Flash，其中北上工厂目前有2座厂房。

太田裕雄指出，“AI数据中心用需求正强劲扩张，NAND Flash市场热络。这种情况将持续至2027年。”

铠侠日前还宣布2026财年（2026年4月-2027年3月）设备投资额（资本支出）预估为4,500亿日元，而铠侠在6月2日表示，计划在2026-2028年度期间平均每年投入约4,700亿日元。

当前，AI所需的NAND Flash需求攀升，预估铠侠当前产能将无法满足2029年以后的需求扩张，因此将根据市场动向，推动新建产能。

铠侠于5月15日公布财报数据指出，受益于AI普及，来自数据中心的需求将持续旺盛，2026年4-6月的季度合并营收预计将暴涨410%至17,500亿日元、合并营业利润将狂飚近28倍（2,791%）至12,980亿日元、合并净利润将狂飚约46倍（4,649%）至8,690亿日元，营收、营业利润、净利润都将创下历史新高纪录。

对于后续NAND Flash市场展望，铠侠表示，2026年位元成长率预估为15~19%、2027年预估仍将呈现需求超过供给（供不应求）的情况。

SK海力士：五年内将DRAM产能增加一倍，但缺货潮将持续至2030年

6月3日消息，韩国存储芯片大厂SK集团董事长崔泰源近日在Computex Taipei上宣布，SK海力士将在五年内将其DRAM晶圆产能增加一倍。但是，他同时警告，由人工智能（AI）带动的内存市场缺货潮将至少持续到2030年。

SK集团会长崔泰元出演了上个月28日播出的节目《才艺大战2：崔泰元的回答》，并就人工智能（AI）的理想人才画像发表了演讲。

关于扩产的具体资金规模，崔泰源并未给出确切数字，原因在于土地、设备与电力等成本价格不断变动。不过，他证实，2026年的资本支出将大幅超越2025年的30.2万亿韩元（约200亿美元），并确认SK海力士2026年已申请在纽约挂牌发行美国存托凭证（ADR）。

然而，远水救不了近火，这项扩产计划难以在短期内缓解市场的供需紧缩。崔泰源坦言，新建一座晶圆厂到量产的周期长达五年以上，这代表着新产能最快也要等到他所预测的缺货期尾声才能真正投产。这一说法与他2026年3月在Nvidia GTC大会上的态度有显著转变，当时他曾表示没有建置新厂的计划，产能也无法随需增加。

当前全球内存持续供不应求的关键在于AI热潮驱动的对高带宽内存（HBM）的庞大需求。HBM每单位的位元所消耗的DRAM晶圆数量远高于标准DDR内存，加上其具备业界最高的利润率，导致全球DRAM大厂的产能大幅向HBM倾斜。目前，SK海力士掌握了全球约57%的HBM市场，以及32%的DRAM市场。

崔泰源表示，公司正积极寻求在中国台湾拓展台积电以外的制造合作伙伴关系，并期望能成为英伟达（Nvidia）Vera Rubin平台的重要HBM供应商。

目前，SK hynix的现有生产线已达饱和状态，可供调配的产能几乎为零。为了确保货源，部分焦急的客户甚至主动提议为SK海力士购买极紫外光（EUV）曝光机，并为新厂的生产线提供资金。然而，就在客户无法等待新厂落成的焦虑下，内存价格正迎来惊人的涨幅。根据市调机构TrendForce的预测数据显示，DRAM合约价在第一季飙涨约95%后，第二季预计将继续攀升63%。此外，DDR4的现货价格在近期回落前，更曾在12个月内出现高达约2,200%的疯狂暴涨。

总结来看，即使SK海力士承诺五年内将产能翻倍，但是五年后的产业前景依然严峻。在AI需求居高不下的态势中，全球内存市场预料在2030年前都将维持供不应求的紧绷局面。

编辑：芯智讯-林子