- 综合排序
- 最热优先
- 最新优先
- 来自专栏硬件工程师
mos管
mos管 Metal oxide semiconductor field effect transistor 金属氧化物半导体场效应晶体管。 有增强型跟耗尽型的区分，但是由于本人没见过耗尽型的mos管，所以直接忽略，需要可自行查阅这两者的区分。 MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。 低频跨导gm ·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导 ·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一个重要参数 5. 管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似 ·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内 备注：此值在PWM开关管中尤为重要，会影响较多参数，一般mos管的发热也跟该参数有较大关系 极间电容 ·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容Cgs 、栅漏电容Cgd和漏源电容Cds 备注：寄生电容，对mos管的开关也有比较大影响。
85320编辑于 2022-08-29 什么是MOS管？
什么是MOS管？大家好，我是良许。最近在做一个电源管理的项目，需要用到MOS管来控制大电流的开关。很多刚入门的朋友可能对MOS管不太了解，今天我就来详细聊聊这个在电子电路中非常重要的元器件。1. MOS管的基本概念1.1 MOS管的全称与结构MOS管的全称是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，中文叫做金属-氧化物-半导体场效应晶体管 ，简称MOSFET或者MOS管。 当我们在栅极施加一定的电压时，就可以控制漏极和源极之间是否导通，这就是MOS管最核心的工作原理。1.2 MOS管的分类MOS管主要分为两大类：N沟道MOS管（NMOS）和P沟道MOS管（PMOS）。 MOS管在嵌入式系统中的应用3.1 开关电路在嵌入式系统中，MOS管最常见的应用就是做开关。
1.6K20编辑于 2026-01-20- 来自专栏硬件工程师
MOS管容易坏掉原因
MOS管容易坏掉原因: 注意：我这里所讲的原因是静电击穿原因。 MOS管为电压控制的电流的器件。是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。 栅极是无直流通路，输入阻抗极高，极易引起静电荷聚集，G,S间的寄生电容较小，通常在几十pF左右，考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，超过一定的电压之后，便会损坏MOS管。 现阶段有很多mos管是自带tvs的，如果没有的话，也可以采用上面的做法，考虑到成本比较贵，可以通过下拉电阻来释放静电。 D-S之间的寄生二极管：体内二极管，相当于快恢复二极管。 当电路中产生很大的瞬间反向电流时，可以通过这个二极管导出去，不致于击穿这个MOS管 扩展：为啥三极管不会出现静电损坏原因，请自己思考。
1.3K40编辑于 2022-08-29 - 来自专栏单片机爱好者
MOS管驱动电路设计，如何让MOS管快速开启和关闭？
关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。 一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。 对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。 与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也就越快。 由此我们可以知道，如果想在更短的时间内把GS电压拉高或者拉低，就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。 因为MOS管栅极高输入阻抗的特性，一点点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通，所以建议在MOS管G极和S极之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗。 综上，MOS管驱动电路参考： MOS管驱动电路的布线设计： MOS管驱动线路的环路面积要尽可能小，否则可能会引入外来的电磁干扰。
5.4K20编辑于 2022-12-07 PN学堂-场效应管MOS管知识
如果说三极管是20世纪电子工业的基石，那么MOS管就是21世纪数字时代的脉搏。本文将带你从零开始，系统地掌握MOS管的核心知识，从它的工作原理到实际应用，助你真正理解这个“电子开关”的魅力。 1.2 结构与符号：MOS管的“身份证”MOS管的核心结构由三层材料构成：金属：构成栅极。氧化物：通常是二氧化硅（SiO₂），作为绝缘层，将栅极与下面的半导体隔开。这是MOS管名称的由来。 在实际应用中，增强型NMOS管因其性能优异、易于制造而最为常用。第二部分：核心原理——MOS管如何工作？我们以最典型的N沟道增强型MOS管为例，来理解其工作过程。 第三部分：关键参数——读懂MOS管的“规格书”要正确使用MOS管，必须理解其数据手册中的关键参数：Vds(max) (漏源击穿电压)：漏极和源极之间能承受的最大电压，超过此值MOS管会被击穿损坏。 第四部分：进阶应用——MOS管的“十八般武艺”4.1 作为电子开关这是MOS管最广泛的应用，尤其是在数字电路和电源管理中。低边开关：MOS管接在负载和地之间。驱动简单，栅极电压直接相对于地即可控制。
2K10编辑于 2025-11-07三极管和MOS管的区别
在嵌入式开发中，三极管和MOS管是我们最常用的两种开关器件。刚入行的时候，我在做单片机项目时经常纠结：这个地方到底该用三极管还是MOS管？后来随着项目经验的积累，我逐渐理解了它们各自的特点和适用场景。 MOS管的导通主要依靠栅极和源极之间的电压VGS，当VGS超过阈值电压Vth时，MOS管就会导通。关键的是，MOS管的栅极几乎不需要电流（理论上只有充放电时的瞬态电流），这是它和三极管最本质的区别。 我做过一个太阳能供电的项目，使用MOS管作为开关器件，待机功耗可以控制在微安级别。3. 开关特性的对比3.1 开关速度MOS管的开关速度通常比三极管快很多。 比如在需要驱动大功率MOS管，但单片机GPIO驱动能力不足时，可以用一个小三极管来驱动MOS管的栅极。这种电路在大功率应用中很常见。 特别要注意Vth要低于驱动电压，否则MOS管无法完全导通。6.2 散热设计无论是三极管还是MOS管，在大功率应用中都要考虑散热问题。
1.2K10编辑于 2026-01-27- 来自专栏怪兽怪秀
MOS管：管脚判定与符号画法
2-MOS管沟道和寄生二极管 箭头指向G极的是N沟道； 箭头背向G极的是P沟道； 寄生二极管方向均是与箭头方向一致的； 3-MOS管万用表测量 借助寄生二极管来判定： 将万用表调到二极管档，红表笔接 现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。 MOS管驱动 跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。 为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。 这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。
6.8K20编辑于 2022-10-04 - 来自专栏硬件工程师
buck中的上、下MOS管
关于buck中的上、下管选型： 这里抛开Vgs,Vds,Ids等等参数，主要从降低功耗，减少发热方面来说： 上管要求有快速开关性能； 因为buck中，占空比一般比较小，所以上管的导通时间是比较短的 ，这就需要上管尽快的导通，以响应电流的需求。 至于开关性能，因为mos管本身有体二极管，当下管没有导通的时候，它的体二极管可以提供一个瞬时的电流，所以对它的开关性能要求没那么高，而是注重于导通电阻。 Mos管并不是理想的器件，因为在导电的过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。 Mos在导通时就像一个可变电阻，由Rds（on）所确定，并随温度而显著变化（随温度的升高而变大）。 对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。
6.1K30编辑于 2022-08-29 - 来自专栏AI电堂
MOS管和IGBT管有什么区别？
在电路设计中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？ 下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！ 什么是MOS管？ 场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。 关于寄生二极管的作用，有两种解释： 1、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏 2、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。 MOS管和IGBT的结构特点 MOS管和IGBT管的内部结构如下图所示。 IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。
5.2K22编辑于 2022-12-08 - 来自专栏单片机爱好者
mos管防反接保护电路安全措施
图2 图2 是一个桥式整流器，不论什么极性都可以正常作业，但是有两个二极管导通，功耗是图1的两倍。 MOS管防反接，好处就是压降小，小到几乎可以忽略不计。 现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A（这个电流已经很大了），在他上面的压降只有6.5毫伏。 由于MOS管越来越便宜，所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。 正确连接时：刚上电，MOS管的寄生二极管导通，所以S的电位大概就是0.6V，而G极的电位，是VBAT，VBAT-0.6V大于UGS的阀值开启电压，MOS管的DS就会导通，由于内阻很小，所以就把寄生二极管短路了 电源接反时：UGS=0，MOS管不会导通，和负载的回路就是断的，从而保证电路安全。 PMOS管防止电源反接电路： ? 正确连接时：刚上电，MOS管的寄生二极管导通，电源与负载形成回路，所以S极电位就是VBAT-0.6V，而G极电位是0V，PMOS管导通，从D流向S的电流把二极管短路。
1.5K20发布于 2020-06-29 - 来自专栏硬件大熊
MOS管寄生电容是如何形成的？
MOS管规格书中有三个寄生电容参数，分别是：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss。该三个电容参数具体到管子的本体中，分别代表什么？是如何形成的？ 功率半导体的核心是PN结，从二极管、三极管到场效应管，都是根据PN结特性所做的各种应用。场效应管分为结型、绝缘栅型，其中绝缘栅型也称MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。 根据不通电情况下反型层是否存在，MOS管可分为增强型、耗尽型—— 寄生电容形成的原因 1. MOS管寄生电容结构如下，其中，多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。 ，驱动电压、开关频率会比较明显地影响MOS管的开关特性，而温度的影响却比较小。
2.8K10编辑于 2022-06-23 - 来自专栏工程师看海
为什么MOS管要并联个二极管，有什么作用？
MOS管，是MOSFET的缩写，全拼是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，翻译过来是金属-氧化物半导体场效应晶体管，根据导电沟道的不同，MOS 下图是NMOS的示意图，从图中红色框内可以看到，MOS在D、S极之间并联了一个二极管，有人说这个二极管是寄生二极管，有人说是体二极管，究竟哪个说法准确呢？很多同学也非常好奇：为什么要并联这个二极管？ 这要从MOS的工艺和结构说起，不管是MOS还是二极管，都是由半导体材料构成，我们都知道二极管是由一对PN结构成，见下图，P型区对应二极管的阳极，N型区对应二极管的负极。 从上面的分析可以知道，这个二极管是MOS结构和工艺使然的，说它是寄生二极管其实不太合适，体二极管（body-diode）的称呼还是相对准确一些。 那么这个体二极管，有什么用呢？ 当插上充电器后，就利用MOS体二极管，使得电路导通，系统正常工作。 以上就是MOS符号并联二极管的原因，以及使用介绍。
1.8K40编辑于 2022-06-23 - 来自专栏硬件工程师
利用MOS管实现电平转换的双向通信
（普及下NMOS管的导通：一般Vgs大于某一电压便导通）（Pmos自己去看） 为了方便讲述，定义1.8V 为 A 端，3.3V 为 B 端。 A到B： A端输出低电平时（0V） ，MOS管导通，B端输出是低电平（0V） A端输出高电平时（1.8V），MOS管截至，B端输出是高电平（3.3V） A端输出高阻时（OC） ，MOS管截至，B端输出是高电平 （3.3V） B到A： B端输出低电平时（0V） ，MOS管内的二极管导通，从而使MOS管导通，A端输出是低电平（0V） B端输出高电平时（3.3V） ，MOS管截至，A端输出是高电平（1.8V） B端输出高阻时 （OC） ，MOS管截至，A端输出是高电平（1.8V） 这里需要注意的是Vgs的电压一定要符合mos管的最低导通电压。 还有就是二极管导通时候有一个电压降，此电压降应该低于GPIO的小于输入低电平 （PS：上面两点自己思考吧）
1.3K30编辑于 2022-08-29 郭天祥分立器件MOS管AD模数大合集
其“分立器件 + MOS 管 + AD 模数转换”全栈教程，正是为初学者和进阶工程师量身打造的一套系统性学习路径。 二、MOS 管：现代电子系统的开关核心随着数字电路与功率电子的发展，MOS（金属-氧化物-半导体）场效应晶体管因其高输入阻抗、低功耗和高速开关特性，成为现代电子系统中不可或缺的元件。 郭天祥在讲解MOS管时，并不局限于符号与参数，而是从内部结构出发，剖析其工作机理——如何通过栅极电压控制源漏之间的导通状态。 教程还深入探讨了N沟道与P沟道MOS管的区别、驱动电路的设计要点，以及在电机驱动、电源管理、逻辑门电路中的典型应用。尤其强调实际布线中对寄生电感与米勒平台的处理，帮助学员规避常见设计陷阱。 郭天祥引导学员跳出单一元件的视角，思考如何将分立器件、MOS管与AD转换模块有机整合，构建完整的功能系统。
43010编辑于 2025-11-07- 来自专栏硬件大熊
释疑：反激电源MOS管两次振铃现象
如下为反激式电源实现方案，该方案采用初级侧稳压（PSR）技术， Q1导通时，变压器初级电感存储能量，输出续流二极管Dfly反向偏置，Cout输出能量给负载； Q1关断时，变压器初级线圈释放能量，输出续流二极管正向偏置 所谓谐振，即：在MOS管开通、关断切换的过程中，寄生电感将能量传递给寄生电容进行充电，充电结束后寄生电容又释放电能给寄生电感储能，如此循环往复。 群友发出的图片中，有2次谐振， 第一次谐振 该谐振产生的时间点在MOS管关断的瞬间，等效谐振电路如下： Loop：初次级间的漏电感、初级励磁电感、功率MOSFET封装电感之和 Coss：MOS管寄生电容 在DCM模式下，当MOS管关断，且在次级反射电流消耗为0之前，次级线圈输出相位的电压高于实际输出电压；当反射电流消耗为0，即次级线圈电流消耗为0时，实际输出电压由输出电容提供，此时次级输出相位的电压等于 由于该谐振给MOS管的寄生电容充电，若MOS在此时导通，则可能碰到寄生电容电位被充到较高的时刻，此时寄生电容所充电的能量若被直接导到GND会造成MOS管的导通损耗，针对该问题，诞生出了准谐振技术，即：DCM
4.5K21编辑于 2022-06-23 - 来自专栏硬件工程师
MOS管微导通导致以及该注意的问题
这里提一个问题：当输出3.3V给LVDS屏供电的时候，一批次机器有对半的机器存在闪屏、花屏的问题，经过debug，发现屏供电3.3V在mos管的S前端是正常的，而在mos管的D管只要2.6V左右。 步骤一：怀疑是MOS管坏了。 换MOS管，发现有的MOS管会，有的MOS管不会，可以初步得出结论，是这一批次MOS管有问题。 而根据原理图，最大的Vgs为3.3V，是能使mos管导通的，但是这只是微导通，会存在很大的阻抗。当电流大了，就会出现拉低电压的现象。 其二：此批MOS管生产工厂不同以往 因为之前就是一直在用，根据供应商说法，工厂不一样造成了差别。 ： 使用负载仪，对mos管进行不同电流的拉载，并用万用表测试mos管两边的压降，用温度红外仪对mos管进行最大负载时候的温度进行记录。
1.5K30编辑于 2022-08-29 - 来自专栏硬件工程师
利用MOS管实现电平转换的双向通信（更新1）
下面就来个小而实用的电路： --------------------------------------------------- 电路主要有一个nmos管跟两个电阻还有两个电压轨。 （普及下NMOS管的导通：Vgs大于某一电压便导通，而此电压称为阈值电压）（Pmos自己去看） 为了方便讲述，定义1.8V 为 A 端，3.3V 为 B 端。 A到B： A端输出低电平时（0V） ，MOS管导通，B端输出是低电平（0V） A端输出高电平时（1.8V），MOS管截至，B端输出是高电平（3.3V） A端输出高阻时（OC） ，MOS管截至，B端输出是高电平 （3.3V） B到A： B端输出低电平时（0V） ，MOS管内的二极管导通，从而使MOS管导通，A端输出是低电平（0V） B端输出高电平时（3.3V） ，MOS管截至，A端输出是高电平（1.8V） B端输出高阻时 （OC） ，MOS管截至，A端输出是高电平（1.8V） 注意： Vgs的电压一定要符合mos管的最低导通电压。
98810编辑于 2022-08-29 - 来自专栏进步集
【数字电路】mos管、三极管、晶振、源极、漏极、栅极
mos与三极管 pwm调光 晶振 基本逻辑和符合逻辑 模拟cmos集成电路 模拟电路vs集成电路 尽管信号处理转到数字领域，但模拟电路也是必须的 自然界一般处理方式 可以改为多电平信号来干活
39810编辑于 2022-11-13 半导体器件大功率 MOS 场效应管-MOS管老化座工程师:功率器件可靠性老化测试必要性
大功率 MOS 场效应管（以下简称 “大功率 MOS 管”）凭借高频开关特性、低导通损耗及高功率密度优势，成为新能源、工业控制、储能等领域的核心器件。 ，防老化需求突出典型器件：1200V/200A 高压大功率 MOS 管（如三菱 FS300R12KE3）大功率 MOS 管主流封装：PDFN/TOLL/TO 的特点与测试难点不同封装的大功率 MOS 管因结构差异 管测试项目中，该功能将测试准确率从 98.5% 提升至 99.98%多工位批测试推出 16 工位、32 工位集成式IC测试座，配合自动化上下料系统，单日可完成 5 万颗大功率 MOS 管老化测试（传统单工位测试座单日仅能完成 8000 颗），某储能企业应用后，测试效率提升 5 倍，人力成本降低 60%（二）典型行业应用案例车规 MOS 管老化测试项目（某头部新能源车企）测试需求：对 650V/150A TOLL 封装 MOS 降至 50ppm，良率提升至 99.95%储能变流器 MOS 管测试项目（某储能设备厂商）测试需求：对 1200V/200A TO-247 封装 MOS 管进行 100℃/1000 小时老化测试，需支持
59010编辑于 2025-10-27DTU40N06场效应管参数-DTU40N06MOS管
一、产品特征DTU40N06场效应管作为一种重要的电子元件，在电子元件领域具有重要地位。 工作原理DTU40N06场效应管的工作原理基于N沟道场效应管的基本原理。当栅极施加一定电压时，形成电场，控制栅极和漏极之间的导电通道的电阻。 实际应用场景① 电源管理系统的使用:在电源管理系统中，DTU40N06一般作为控制回路通断的开关管。比如，在DC-DC变换器中，它可用做主开关管，控制电压的稳定性和效率，以保证电路的正常使用。 比如，在电动汽车中，它可作为电机驱动全面的开关管，操纵电机的功率和速度，提升电动汽车的性能和质量。 作为一种高性能、高稳定性的MOS管，它在各类电子设备中起着重要作用，为现代电子技术的发展做出了重要贡献。
51100编辑于 2024-04-17
腾讯云开发者
Copyright © 2013 - 2026 Tencent Cloud. All Rights Reserved. 腾讯云 版权所有
深圳市腾讯计算机系统有限公司 ICP备案/许可证号：粤B2-20090059 
粤公网安备44030502008569号
腾讯云计算（北京）有限责任公司 京ICP证150476号 | 京ICP备11018762号