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微软MOS认证要不要考？难不难？
这几天娃儿病了，没时间写文章，偶有时间瞄一眼群里的信息，看到有朋友在问关于MOS认证的事情，现简单撰文谈谈我的体会。 『要不要考？』 而且，有个证，到时上台人家给你介绍的时候还能美美多说两句…… 于是，我就考了Excel的MOS认证，本来还在考虑要不要考个word加个ppt啥的，凑个大师，后来想想算了，我还是专搞Excel
2.3K40发布于 2021-08-30 - 来自专栏硬件工程师
mos管
mos管 Metal oxide semiconductor field effect transistor 金属氧化物半导体场效应晶体管。 有增强型跟耗尽型的区分，但是由于本人没见过耗尽型的mos管，所以直接忽略，需要可自行查阅这两者的区分。 MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。 低频跨导gm ·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导 ·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 ·是表征MOS管放大能力的一个重要参数 5. 管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似 ·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内 备注：此值在PWM开关管中尤为重要，会影响较多参数，一般mos管的发热也跟该参数有较大关系 极间电容 ·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容Cgs 、栅漏电容Cgd和漏源电容Cds 备注：寄生电容，对mos管的开关也有比较大影响。
87120编辑于 2022-08-29 - 来自专栏根究FPGA
MOS与CMOS
一、MOS管 MOS晶体管是金属—氧化物—半导体场效应管，有三个极，分别是S极、G极、D极，即源极、栅极、漏极，为电压控制，也被称为场效应管FET（Field-effect-transistor）。
5.8K10发布于 2020-06-30 - 来自专栏MOS
MOS生态的优势
区块链作为一种新兴的技术，与当前的技术存在交叉，在“技术为土壤、金融为催化剂”的环境中，区块链技术可以无成本地融入到现有的金融体系，MOS生态将成为以后金融市场的基础设施。 在未来数字货币的金融行业里，所有银行、金融机构、投资组织、投资者都会在一个去中心化的平台MOS生态里进行自组织的共识与协作。 所有的金融产品如股票、基金、期权、理财产品等，也都会通过这种去中心化的自组织方式进行发行，也叫MOS生态代币DAO发行。 MOS生态下的核心应用MOSDAO（摩斯议会）现在正在做的，就是将数字资产，代币的发行权完全交还给投资社区，由代币投资人共识的影响力决定代币的价格，以社区的代币销售量定代币的流通量。
1.1K00发布于 2019-09-23 - 来自专栏MOS
继续学习MOS生态理念
MOS生态的价值观，就是要让金融发展的利益，归于普通民众，MOS摩斯生态旨在用区块链技术来实现金融普惠，让勤劳，智慧，朴实的大众群体摆脱金融剥削，获得金融自由，财富自由。 在MOS生态应用下，MOS摩斯生态有义务让整个生态共建者或者客观的回报。 第一，作为链接所有MOS生态产品的权益型代币-MOS，在MOSDAO摩斯会议中进行代币发行的当日，即同步上交易所。 第二，MOS生态采用双曲线和百倍通缩的上涨机制，并写入智能合约发行，代币越长越快，早投入高收益。 第三，全球首个POS智能双挖矿池，产品锚定金本位，创新的智能双挖模式，挖MOS代币得MOS代币+BTC，一挖两得。实体矿场矿池资产注入，真实算力保证效益。 第四，加密议员，币本位理财产品，随着购买MOS代币的人数增加，加密议员将会获得不断增加的高额动态收益。
88910发布于 2019-09-21 什么是MOS管？
什么是MOS管？大家好，我是良许。最近在做一个电源管理的项目，需要用到MOS管来控制大电流的开关。很多刚入门的朋友可能对MOS管不太了解，今天我就来详细聊聊这个在电子电路中非常重要的元器件。1. MOS管的基本概念1.1 MOS管的全称与结构MOS管的全称是Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，中文叫做金属-氧化物-半导体场效应晶体管 当我们在栅极施加一定的电压时，就可以控制漏极和源极之间是否导通，这就是MOS管最核心的工作原理。1.2 MOS管的分类MOS管主要分为两大类：N沟道MOS管（NMOS）和P沟道MOS管（PMOS）。 MOS管在嵌入式系统中的应用3.1 开关电路在嵌入式系统中，MOS管最常见的应用就是做开关。 调用MOS_Turn_Off()函数时，PA5输出低电平，MOS管截止，负载停止工作。3.2 PWM调速电路MOS管还可以配合PWM信号来实现电机调速。
1.9K20编辑于 2026-01-20- 来自专栏硬件工程师
MOS管容易坏掉原因
MOS管容易坏掉原因: 注意：我这里所讲的原因是静电击穿原因。 MOS管为电压控制的电流的器件。是由加在输入端栅极的电压来控制输出端漏极的电流。 栅极是无直流通路，输入阻抗极高，极易引起静电荷聚集，G,S间的寄生电容较小，通常在几十pF左右，考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压，超过一定的电压之后，便会损坏MOS管。 现阶段有很多mos管是自带tvs的，如果没有的话，也可以采用上面的做法，考虑到成本比较贵，可以通过下拉电阻来释放静电。 D-S之间的寄生二极管：体内二极管，相当于快恢复二极管。 当电路中产生很大的瞬间反向电流时，可以通过这个二极管导出去，不致于击穿这个MOS管 扩展：为啥三极管不会出现静电损坏原因，请自己思考。
1.3K40编辑于 2022-08-29 - 来自专栏单片机爱好者
MOS管驱动电路设计，如何让MOS管快速开启和关闭？
关于MOS管驱动电路设计，本文谈一谈如何让MOS管快速开启和关闭。 一般认为MOSFET（MOS管）是电压驱动的，不需要驱动电流。 然而，在MOS管的G极和S极之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。 对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。 因为MOS管栅极高输入阻抗的特性，一点点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通，所以建议在MOS管G极和S极之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗。 综上，MOS管驱动电路参考： MOS管驱动电路的布线设计： MOS管驱动线路的环路面积要尽可能小，否则可能会引入外来的电磁干扰。
5.5K20编辑于 2022-12-07 - 来自专栏用户8950297的专栏
关于微软MOS认证在线考试报名及一点点个人经验
前几天发了篇关于《微软MOS认证要不要考？难不难？》的文章，简单说了一下MOS认证考试的参考材料和意义，结果很多朋友在追问： 这个怎么报名？怎么考试？
1.8K20发布于 2021-08-30 - 来自专栏数据库与编程
【翻译mos文章】怎么startupshutdown PDB？
怎么startup/shutdown PDB？ 来源于： 12c: How to Startup/Shutdown PDB's? (文档 ID 1592247.1) 适用于： Oracle Database - Enterprise Edition - Version 12.1.0.1 and later Information in this document applies to any platform. 目标： startup/shutdown PDB的方法。 解决方案： 在12c之前，传统的startup/shutdown 命令是：
52510编辑于 2024-04-03 - 来自专栏怪兽怪秀
MOS管：管脚判定与符号画法
MOS开关管损失 不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。 现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。 MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。 MOS管驱动 跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。 这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。 为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。 这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2中提到的问题。
7K20编辑于 2022-10-04 - 来自专栏数据库与编程
Oracle ACE如何开通并使用MOS权限
注：通过以下方式开通 MOS 无补丁下载权限。 三、关联 Oracle Cloud 帐户与 MOS 帐户 要在 MOS 中提交服务请求或访问支持资源，您的 Oracle Cloud 用户需要关联一个有效的 MOS 支持账户。 开通后即可登录 MOS：https://support.oracle.com/epmos 四、MOS 资源访问和常见使用场景 成功关联 MOS 帐户后，运维人员可通过 MOS 平台访问多种资源，并在日常工作中充分利用以下主要功能 在实际场景中，例如升级 Oracle Database 版本前，可利用 MOS 下载相应的 PSU 补丁并参考升级指南；运维遇到异常错误时，可先在 MOS 知识库检索解答；需要厂商帮助时，通过 MOS 总之，无论是本地部署还是云服务环境，MOS 都是运维工作中不可或缺的支持渠道。 五、MOS 在运维中的重要性与应用建议 在日常运维工作中充分利用 MOS 平台，可显著提升效率与系统可靠性。
2.2K00编辑于 2025-05-02 - 来自专栏硬件工程师
buck中的上、下MOS管
至于开关性能，因为mos管本身有体二极管，当下管没有导通的时候，它的体二极管可以提供一个瞬时的电流，所以对它的开关性能要求没那么高，而是注重于导通电阻。 Mos管并不是理想的器件，因为在导电的过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。 Mos在导通时就像一个可变电阻，由Rds（on）所确定，并随温度而显著变化（随温度的升高而变大）。 对MOS管施加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。
6.1K30编辑于 2022-08-29 - 来自专栏AI电堂
MOS管和IGBT管有什么区别？
在电路设计中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也比较相似，那为什么有些电路用MOS管？而有些电路用IGBT管？ 下面我们就来了解一下，MOS管和IGBT管到底有什么区别吧！ 什么是MOS管？ 场效应管主要有两种类型，分别是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。 关于寄生二极管的作用，有两种解释： 1、MOSFET的寄生二极管，作用是防止VDD过压的情况下，烧坏MOS管，因为在过压对MOS管造成破坏之前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，从而避免MOS管被烧坏 2、防止MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也可以在电路有反向感生电压时，为反向感生电压提供通路，避免反向感生电压击穿MOS管。 选择MOS管还是IGBT？
5.3K22编辑于 2022-12-08 - 来自专栏AI电堂
MOS管及其外围电路设计
01 栅极驱动部分 常用的mos管驱动电路结构如图1所示，驱动信号经过图腾柱放大后，经过一个驱动电阻Rg给mos管驱动。其中Lk是驱动回路的感抗，一般包含mos管引脚的感抗，PCB走线的感抗等。 图2 mos开通时的驱动电流 1.2 驱动电阻的上限值 驱动电阻上限值的计算原则为：防止mos管关断时产生很大的dV/dt使得mos管再次误开通。 图3 mos关断时的对应电流 该电流igd会流过驱动电阻Rg，在mos管GS之间又引入一个电压，当该电压高于mos管的门槛电压Vth时，mos管会误开通，为了防止mos管误开通，应当满足： ? 式(6)给出了驱动电阻Rg的上限值，式(6)中Cgd为mos管gd的寄生电容，Vth为mos管的门槛电压，均可以在对应的datasheet中查到，dV/dt则可以根据电路实际工作时mos的DS电压和mos 当mos关断时，Qoff打开，关断电流就会流经该三极管Qoff，这样mos管gs的电压就被钳位至地电平附近，从而有效地避免了mos的误开通。
3K12发布于 2020-11-24 - 来自专栏单片机爱好者
mos管防反接保护电路安全措施
MOS管防反接，好处就是压降小，小到几乎可以忽略不计。现在的MOS管可以做到几个毫欧的内阻，假设是6.5毫欧，通过的电流为1A（这个电流已经很大了），在他上面的压降只有6.5毫伏。 由于MOS管越来越便宜，所以人们逐渐开始使用MOS管防电源反接了。 NMOS管防止电源反接电路： ? 正确连接时：刚上电，MOS管的寄生二极管导通，所以S的电位大概就是0.6V，而G极的电位，是VBAT，VBAT-0.6V大于UGS的阀值开启电压，MOS管的DS就会导通，由于内阻很小，所以就把寄生二极管短路了 电源接反时：UGS=0，MOS管不会导通，和负载的回路就是断的，从而保证电路安全。 PMOS管防止电源反接电路： ? 正确连接时：刚上电，MOS管的寄生二极管导通，电源与负载形成回路，所以S极电位就是VBAT-0.6V，而G极电位是0V，PMOS管导通，从D流向S的电流把二极管短路。
1.5K20发布于 2020-06-29 - 来自专栏小麦苗的DB宝专栏
【MOS】故障排除 Shared Pool优化 (Doc ID 1523934.1)
Troubleshooting: Understanding and Tuning the Shared Pool (Doc ID 62143.1)
1.1K10编辑于 2024-04-17 - 来自专栏硬件大熊
MOS管寄生电容是如何形成的？
MOS管规格书中有三个寄生电容参数，分别是：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss。该三个电容参数具体到管子的本体中，分别代表什么？是如何形成的？ 场效应管分为结型、绝缘栅型，其中绝缘栅型也称MOS管（Metal Oxide Semiconductor）。 根据不通电情况下反型层是否存在，MOS管可分为增强型、耗尽型—— 寄生电容形成的原因 1. MOS管寄生电容结构如下，其中，多晶硅宽度、沟道与沟槽宽度、G极氧化层厚度、PN结掺杂轮廓等都是影响寄生电容的因素。 ，驱动电压、开关频率会比较明显地影响MOS管的开关特性，而温度的影响却比较小。
2.9K10编辑于 2022-06-23 - 来自专栏从ORACLE起航，领略精彩的IT技术。
小知识：使用MOS下载Oracle介质快速参考
之前对选Release、Patch Set、PSU都有专门的文档，现在早已简化，针对这些以及之后RU、RUR等都包含在MOS文档：2118136.2 Assistant: Download Reference
93720发布于 2021-04-23 PN学堂-场效应管MOS管知识
1.2 结构与符号：MOS管的“身份证”MOS管的核心结构由三层材料构成：金属：构成栅极。氧化物：通常是二氧化硅（SiO₂），作为绝缘层，将栅极与下面的半导体隔开。这是MOS管名称的由来。 第二部分：核心原理——MOS管如何工作？我们以最典型的N沟道增强型MOS管为例，来理解其工作过程。 这是MOS管作为放大器工作的核心区域。 第三部分：关键参数——读懂MOS管的“规格书”要正确使用MOS管，必须理解其数据手册中的关键参数：Vds(max) (漏源击穿电压)：漏极和源极之间能承受的最大电压，超过此值MOS管会被击穿损坏。 第四部分：进阶应用——MOS管的“十八般武艺”4.1 作为电子开关这是MOS管最广泛的应用，尤其是在数字电路和电源管理中。低边开关：MOS管接在负载和地之间。驱动简单，栅极电压直接相对于地即可控制。
2.3K10编辑于 2025-11-07
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