业内人士指出,三星拥有全球最大的生产能力和最广泛的内存产品线,并且通过成为首家量产最高性能HBM4的公司,显示出其内存技术竞争力的恢复。 目前,三星的HBM4已通过英伟达的质量认证流程并获得订单,生产计划也已根据英伟达的Vera Rubin推出计划进行了调整。根据最新的订单,三星供应的HBM4样品数量也显著增加,以便客户进行模块测试。 三星HBM4生产计划的启动正值全球内存供应危机的加剧,该危机是由于生成式AI服务的爆炸性增长所驱动。 到2025年9月,三星已将其1c DRAM产能扩展至每月60,000片晶圆,专门针对HBM4的生产。该公司还确认计划将HBM4的产能提高70%,以满足来自英伟达和AMD的需求。 内存供应的短缺和价格上涨,推动了三星电子和SK海力士的获利的大幅增长。即使是通常能确保充足供应的英伟达,也要求三星加快HBM4的交付,尽管质量测试尚未完成,这突显了需求压力的严重性。
2月12日,三星电子正式宣布,其业界领先的HBM4内存已开始量产,并已向客户交付商用产品。这一成就不仅开创了行业先河,也将巩固三星在HBM4市场的早期领先地位。 三星电子执行副总裁兼存储器开发负责人黄相俊称:“三星没有沿用传统的成熟设计,而是大胆创新,采用了最先进的制程节点,例如用于HBM4的1c DRAM和4nm逻辑工艺。 据介绍,三星的HBM4显存可提供高达11.7 Gbps的稳定传输速率,相比业界标准的8Gbps提升了约46%,树立了HBM4性能的新标杆。 三星的HBM4采用的是12层堆叠技术,提供容量从24GB到36GB的HBM4容量。三星还将通过采用16层堆叠技术,将容量选择扩展至最高48GB,以满足客户未来的需求。 三星预计其HBM产品销量在2026年将比2025年增长3倍以上,并正积极扩大HBM4的产能。
一名业内人士透露,据其了解三星HBM4的各种质量项目(包括良率等)皆获得了英伟达的正面评价,目前已进入预生产阶段。“若预生产测试也通过,估计11月或12月就可量产。” 三星7月提供的HBM4原型是一款“工程样本”,而预生产程序会测试样本跟客户GPU的兼容性,评估在特定温度环境下,质量能否达到要求。一旦通过这个阶段,便可转入量产期。 如果三星HBM4顺利通过预生产阶段,则11月便有望量产,这迅速拉近与SK海力士的距离。 市场也有消息传出,三星的12层堆叠HBM3E将在8月底前通过英伟达质量测试并开始交货。 业界认为,英伟达、SK海力士近来谈判HBM产量与报价时陷入拉锯,暗示三星可能即将向英伟达供货。 如果三星成功打入英伟达的HBM3E及HBM4供应链,那么2026年的AI内存市场势必会出现重大变化。 今年上半,三星的HBM市占率从2024年同期的41%骤减至17%,而SK海力士却从55%增至62%,美光(Micron)也从4%拉升至21%。业界相信,三星明年的HBM销售增长率有望提升一倍以上。
报道称,三星与台积电的合作将提供 英伟达(Nvidia)和谷歌(Google) 等客户要求的“定制芯片和服务”。 与现有型号相比,无缓冲 HBM4 的能效将提高 40%,延迟可降低 10%。 并且当HBM进入到新一代的HBM4时,会采用基于逻辑制程的基础芯片,使得客户可以加入自己的IP,以实现定制化,提升HBM的效率。 相关文章《三星HBM4将转向Logic Base Die及3D封装》 消息人士也表示,虽然三星能够提供全面的 HBM4 制造服务,包括内存生产、(逻辑制程基础芯片)代工和先进封装,但它希望利用台积电的技术来获得更多客户 此举是三星可能将是试图反击竞争对手 SK 海力士的一个举措,后者以 53% 的标价成为领先的 HBM 供应商,而三星只有 35%。 值得注意的是,SK 海力士、三星和美光都在推出 HBM3E DRAM,并计划在 2025 年推出 HBM4 格式。
12月25日消息,据DigiTimes报道,随着DDR4供应紧缺,16GB DDR4模组在现货市场的价格已经飙涨至60美元的历史新高,这也使得继续生产DDR4变得更为有利可图,因此韩国三星电子已经推迟了其 但是,由于三星、SK海力士、美光等DRAM大厂都计划停产DDR4,这使得DDR4价格在短时间的迅速飙升,叠加目前的DDR5也供应紧缺、价格大涨,导致原本买不到DDR4客户想要升级到DDR5也同样面临困难 至于三星DDR4产线的停产时间会推迟到何时,目前尚不清楚,不过在今年8月就曾有传闻称将推迟到2026年底停产。 另外需要指出的是,目前抢着与三星签订NCNR合约的客户主要集中在服务器与超大规模数据中心(Hyperscaler)领域,没有面向消费者的公司表明有意争取三星DDR4芯片的长期合同。 这也意味着,即便三星推迟停产DDR4,消费类终端客户可能仍将面临DDR4供应短缺和涨价。
8月6日消息,据韩国媒体The Elec报导,随着DDR4价格的持续上涨,此前已通知客户将在2025年底前逐步停产1z制程DDR4的三星决定改变计划,将DDR4的停产时间延后至2026年12月。 报道称,三星放缓DDR4停产步伐的原因,主要是由于三星在HBM领域大幅落后于竞争对手SK海力士和美光,导致其HBM获利贡献有限。 而随着SK海力士和美光扩产HBM排挤DDR4产能,以及计划停产DDR,导致DDR4供应转趋吃紧,价格快速上涨。促使三星决定放缓停产DRR4的步伐,以充分利用现有DRAM产能。 目前,三星1z制程DDR4 DRAM产线已折旧完毕,有利于成本和报价竞争力,在当前DDR4价格大涨的背景下,继续生产DDR4将有助于提升获利,这也是三星此次调整DDR4停产计划的原因之一。 知情人士称,此举虽然有助于平抑DDR4价格涨势,但也透露出三星抢攻HBM市场的进度并不如预期顺利。 编辑:芯智讯-浪客剑
三星电子存储开发部执行副总裁黄相俊(Hwang Sang-jun)在英伟达GTC 2026大会现场公布了三星最新的HBM量产进度与下一代技术发展蓝图。 针对未来的产品布局,黄相俊指出,三星的战略目标是让最新一代的HBM4 产品,在公司整体的HBM 总产量中占据高达一半以上的比例。 黄相俊也在GTC大会上宣布,其第六代HBM——HBM4已经开始步入量产阶段,其基础晶粒(Base Die)将采用4nm制程技术(三星代工的英伟达Gorq 3 LPU芯片也是采用同样的4nm制程),其核心的 三星后续的升级版第七代HBM产品——HBM4E的基础晶粒也都将采用相同的4nm制程技术。但未来的HBM5 以及HBM5E 产品的基础芯粒,三星则计划全面导入自家晶圆代工更为先进的2nm制程技术。 为了确保在激烈的AI 晶片竞赛中保持优势,三星正推行一项紧密跟随核心客户的战略。
2月6日消息,根外媒报道,三星电子的旗舰智能手机Galaxy S24系列所搭载的Exynos 2400是基于三星4LPP+制程技术制造的,当前的良率约为60%,相比一年多之前25%良率已经大幅提升。 不过,仍低于台积电N4P的70%以上的良率。 据介绍,三星的Exynos 2400处理器是三星首款采用扇出晶圆级封装(FOWLP)的手机处理器。 三星表示,使用FOWLP技术可将耐热性提高23%,进一步使多核性能可提高8%。 目前,三星正在测试藉由SF3制程技术所制造的芯片其性能和可靠性。 后三星生产节点的最大改革将发生在 2027 年,届时三星的 SF1.4 技术将通过将纳米片数量从 3 个增加到 4 个来获得额外的纳米片。
随着三星在折叠屏手机技术的不断提升,这个系列在4年里先后发布4代产品,直至最新的三星Galaxy Z Fold4,比前几代产品更加精进,它凭借轻量手感、沉浸大屏、PC 级生产力和旗舰级影像系统等诸多创新 让大屏手机保持轻量手感是三星Galaxy Z Fold4引以为傲的独特设计。 ,重量也基本无异,三星Galaxy Z Fold4真正实现大屏手机单手操控0压力。 为观影、游戏用户带来更舒适畅快的视觉观感,早已不是三星Galaxy Z Fold4唯一使命,自2019年初代三星Galaxy Fold“出世”以来,便吹响了推动“移动生产力”的号角。 正是借助三星Galaxy Z Fold4可折叠的机身,还有很多全新拍照方式都被一一解锁,例如“后置自拍”功能,完美解决了用传统后置摄像头自拍时,翻转手机无法实时预览拍摄效果的苦恼,三星Galaxy Z
今日,三星宣布其创意实验室(C-Lab)将在本月下旬的WMC 2017上展示新的VR项目。这些VR和AR项目将展示在MWC所提供的一个平台上,该平台旨为有潜力的创业公司提供展示空间。 C-Lab是三星的一个企业内部创业孵化项目,该项目旨在为有极佳创意且需要公司支持实现的内部员工提供帮助。 traVRer traVRer 三星C-Lab还将在MWC 2017上展示traVRer。traVRer是一个360度的视频平台,它能够提供给用户一场虚拟旅游的体验。
以色列本古里安大学(Ben-Gurion University of the Negev)的网络安全研究人员发现,三星电子畅销智能手机Galaxy S4的安全平台存在一个安全漏洞,可能会让恶意软件追踪邮件并记录数据通讯 该大学实验室的首席技术官DuduMimran在一份声明中表示,“新发现的漏洞代表了一种严重的威胁,受影响的用户包括所有使用基于这种架构的手机的用户,例如三星Galaxy S4用户”。 三星一位发言人表示,该公司“非常认真地对待所有的安全漏洞提醒”并承诺进一步调查该大学实验室的研究发现。三星的初步调查显示“危险程度似乎相当于某些知名的攻击”。 Knox并没有预装在GalaxyS4设备上,不过任何用户都可以下载该系统。Knox程序预装在GalaxyNote 3上。用户可以自主关闭该系统。 以色列的研究人员称,他们只是在Galaxy S4上发现该问题。
5月6日消息,据外媒wccftech报道,三星今年年初发布的年度旗舰智能手机Galaxy S25系列由于放弃搭载自研的Exynos 2500芯片,这可能将造成三星约4亿美元的亏损。 三星也曾坦承目前自家SoC无法与高通旗舰芯片竞争。 而放弃Exynos 2500的这项决定,也导致三星此前在Exynos 2500上的研发和制造投入基本打了水漂,再加上全面外购高通的旗舰芯片,使得其今年的零组件支出大幅上升,更直接造成约4亿美元损失。 为了避免重演惨剧,传闻三星明年将重新推出自研的旗舰处理器Exynos 2600,但仅部分Galaxy S26机型采用。 而此前三星放弃Exynos 2500处理器,其旗下System LSI部门就蒙受约4亿美元亏损。 2025年第一季财报显示,三星重申目标是下半年稳定2nm GAA制程的良率,并进行量产。
2月22日消息,三星电子宣布成功重夺全球DRAM市场第一名,这也是三星电子自2024年第四季以来首次重新夺回第一的宝座。 根据市场调查机构Omdia的报告,三星电子2025年第四季DRAM市占率达36.6%,SK海力士以32.9%屈居第二,主要得益于三星第六代高带宽內存HBM4的销售增长。 三星电子过去一年来由于在HBM市场的失利,失去了DRAM市场领导地位,使得三星电子自1992年以来首次被SK海力士挤下第一的宝座。 三星电子在最近财报会议上还表示,2025年第四季HBM销售额增长显著(外界认为这主要得益于其HBM4的销售额的增长),且高容量DDR5和低功耗高性能DRAM(LPDDR5X)等高附加值产品的需求也有上升 此外,三星电子HBM4速度高达13Gbps,搭载英伟达最新AI加速器。业界预估,三星电子将扩大对英伟达及其他全球大型科技公司HBM供应,今年整体HBM市占率将达约30%,HBM销售额比去年增长三倍。
三星公司于1969年1月在韩国以三星电子工业公司的名义成立。它的创始人Lee Byung-Chul是一位韩国商人。 但是,三星与三洋的合资企业仍然存在,两家公司于1973年合并创建了三星-三洋配件。 不断成长的成功 在接下来的八年中,三星取得了成功,并于1981年售出了100万台黑白电视机。 三星还于1985年成立了三星数据系统(现称为三星SDS),以满足企业对系统开发不断增长的需求。 在这个时间点上,可以肯定地说三星表现不错。 直到1995年,即三星首次推出手机后的几年,才决定三星需要一种新的业务战略来应对其未来。三星电气工业公司董事长李坤熙是率先进行这一变革的人。 智慧的开始 2010年6月,三星发布了首款智能手机:三星GalaxyS。
4月17日消息,随着高带内存(HBM)演进到第六代的HBM4,其底部的Base Die将首次采用逻辑制程制造,这也成为了同时拥有先进逻辑制程工艺的存储芯片厂商三星电子的一大优势。 据《朝鲜日报》报道,此前在HBM技术竞争中落后的三星电子,其在HBM4 12层 技术的开发和制造方面已经取得了巨大进展,其为HBM4开发的基于其4nm逻辑制程的Logic Base Die的测试良率已超过 相比之下,三星的竞争对手——SK海力士正在生产HBM4 12层产品,并已向客户发送样品。 为了缩小与SK海力士的在HBM市场的差距,三星已经将HBM4视为其拓展市场份额的关键产品。三星内存部门正在开发的HBM4 12层产品将基于其10纳米级第六代(1c)DRAM芯片和4nm的逻辑芯片。 而SK海力士正则选择的是将上一代DRAM(1b DRAM)用于HBM4,这意味着如果三星能够稳定量产1c DRAM和4nm Logic die,它将在HBM4性能方面占据优势。
5月6日消息,据外媒Wccftech报道,由于三星尖端制程良率偏低,以及美国特朗普政府关税政策影响,处理器大厂AMD可能已经取消了三星4nm制程订单,进而转向了向台积电美国亚利桑那州晶圆厂下单。 报道称,AMD过去曾一直采用双重代工供应商策略,AMD也计划与三星晶圆代工的4nm(SF4X)制程广泛合作,不限EPYC 服务器处理器,还包括Ryzen APU 和Radeon GPU 等产品。 但现在AMD计划取消三星晶圆代工的4nm订单,更倾向于在台积电美国亚利桑那州晶圆厂下单。 目前台积电位于美国亚利桑那州的晶圆厂目前已经开始大规模生产4nm,特别是在美国特朗普政府即将出台针对半导体的加征关税政策之后,英伟达、苹果、AMD等美国芯片设计大厂也纷纷开始下单台积电亚利桑那州晶圆厂4nm 如果AMD放弃三星4nm制程转投台积电消息属实的话,对三星晶圆代工业务来说将是一大严重打击。
5月2日消息,据外媒Wccftech报道,推特爆料达人@OreXda 指出,AMD已与三星签署协议,将从台积电转移部分4nm处理器订单交由三星代工。 这主要是由于台积电4nm产能吃紧,无法生产更多的AMD芯片,使得AMD将部分芯片转为由三星4nm代工。 此前据韩国媒体报道称,目前三星第三代4nm良率已经提升到了约70%,已经接近了台积电4nm的80%良率水平,再加上三星4nm的价格优势,这也在一定程度上吸引了客户下单。 目前,Google Tensor G3芯片正是采用三星4nm(4LPP)制程代工,而三星自研的Exynos 2400则采用更先进的4LPP+制程。 如果AMD下单三星的华为,有可能采用三星4LPP+工艺,可以进一步改善芯片的能耗。
1月4日,苹果CEO库克在接受CNBC采访时也表示,未来将会押注印度市场,苹果正在印度开设更多的Apple Store。现在印度市场,小米和三星占据了前两名。 1月15日,任正非在接受国外媒体采访时表示,2019年对华为来说可能是困难的一年,营收增长将低于20%,这与4G网络投资周期接近结束、5G网络投资周期尚未全面开始直接相关,也与全球经济宏观环境有间接关系 在供应链方面,华为部分手机元件依赖于三星。根据三星的企业数据显示,华为入围三星电子2018年上半年的五大客户,华为手机的屏幕、内存和闪存都靠三星提供。 在手机业务上,华为是三星的最大竞争对手,很难说三星是否会在基础原件上对华为进行限制。虽然三星不同业务体系间独立性很强,但也只是相对独立。 4、各地政策限制。 2018年初,华为和美国运营商合作,后来被政府叫停,原因是后者担心华为发展起来后会威胁到美国的国家安全。当时据彭博社报道,美国最大运营商Verizon终止了所有华为手机的销售。
全新的快闪体验店汇集了三星Galaxy Z Fold4、三星Galaxy Z Flip4及三星Galaxy Watch5 系列智能手表……不仅可以零距离感受前沿科技带来的创新体验,还能深入体验三星Galaxy 作为三星折叠屏产品的最新力作,三星Galaxy Z Fold4开创了全新的工作和创作方式,通过S Pen的加持最大化地释放了折叠屏形态下的大屏生产力,实现了突破性的提升。 三星Galaxy Z Fold4的不断进化,正是三星在折叠屏乃至智能手机领域技术积累的最新成果,在反复精细打磨下,凝聚了包括屏幕、芯片、存储、摄像、材料等方面最强研发,以匠心工艺铸就出三星Galaxy 展开机身,三星Galaxy Z Fold4的7.6英寸主屏幕支持1-120Hz自适应刷新率,UDC屏下摄像头区域的像素排列也进行了升级,摄像头隐蔽性更好。 以5000万像素广角主摄、1000万像素长焦镜头支持3倍光学变焦,同时还支持30倍空间变焦,辅以三星强大的AI技术加成,以及折叠屏形态带来的拍摄体验,三星Galaxy Z Fold 4释放出折叠屏影像无限玩乐能量
没想到三星还出了Camera SDK,今天就来了解下吧~ 三星虽然在国内基本没市场了,不过,三星的实力还是得佩服。 简介 三星Camera SDK专为第三方APP打造,将三星系统Camera的实用功能和高级特性封装对外开放,通过集成三星Camera SDK,任何APP都可以轻松调用三星Camera的原生功能,如HDR 架构 4. SDK集成 第三方App需要集成三星Camera API-2 SDK JAR到App中。 JAR包只含SDK的接口部分,实现在三星设备系统侧的三星 Platform APK中,类似于谷歌的AR Core。 第三方的Camera APP在运行时需要检查三星 Platform APK是否已经被安装。如果三星设备中并没有三星 Platform APK或版本不匹配,需要提醒用户安装或更新。