HMC773ALC3BTR，6~26GHz 无源混频器

核心电气特性（FEATURES）

常温 25℃、LO 驱动 13dBm 典型指标：

1. 变频损耗：典型 9dB；6~16GHz 最大 12dB，16~26GHz 最大 14dB
2. 端口隔离：LO-RF 典型 37dB、LO-IF 典型 37dB、RF-IF 典型 20dB
3. 线性指标：输入 IP3 典型 20dBm，输入 IP2 典型 50dBm，1dB 压缩点 P1dB 典型 10dBm
4. 中频带宽：直流 DC ~ 8GHz（支持零中频架构）
5. 无源设计：无直流偏置，电路简化
6. 端口驻波：RF/LO 端口回波损耗典型 10~12dB（50Ω 匹配）

绝对最大额定值（器件极限应力，长期超规永久损坏）

1. RF/LO/IF 输入最大功率：21dBm
2. IF 端口灌 / 拉电流上限：2mA（直流 IF 应用必须遵守，防止器件失效）
3. 芯片沟道最高温度：175℃
4. 85℃连续功耗 400mW，高于 85℃按 4.44mW/℃降额
5. 回流峰值温度：260℃（MSL3）
6. 存储温度：-65℃ ~ +150℃；工作温度：-40℃ ~ +85℃
7. ESD 防护：人体模型 HBM 2000V（Class2）；带电器件 FICDM 1200V（Class C5）

工作原理

1. 双平衡无源混频架构，集成片上巴伦，实现端口高隔离，抑制本振泄露；
2. 下变频：RF (6~26GHz) → IF (DC~8GHz)；
3. 上变频：IF (DC~8GHz) → RF (6~26GHz)；
4. 纯无源肖特基二极管混频，无晶体管，无需供电，仅需 13dBm 以上本振驱动；
5. 陶瓷无引线封装省去键合线，降低射频损耗，适配高密度 SMT 贴装。