三星为英伟达开发8层HBM4E速度提升约20%

IT时代网8月31日消息，据媒体报道，三星电子已拿下英伟达下一代定制高带宽内存（NVHBM）主供应商地位，正为其开发专属 HBM 产品。该方案采用 8 层低堆叠设计，支持 17~18Gbps 高引脚速率，优先满足英伟达对处理速度的极致追求，而非传统垂直堆叠层数扩展，较初期 HBM4E 14.4Gbps 样品速度高出约 20%。

与标准 HBM4E 相比，NVHBM 在架构上实现关键突破：将内存控制器从 GPU 计算 die 移至 HBM 基础 die 内，使带宽提升 30%、功耗降低 15%，并为计算 die 释放最多 25% 面积。

受 DRAM 供需失衡预计持续至 2027 年、原生 HBM4E 验证进度不确定影响，英伟达已调整 Rubin Ultra 的 HBM 配置策略：原计划统一采用 HBM4E 12 层，现改为同步评估 8 层 HBM4E、12 层与 8 层 HBM4 三种方案，单颗 GPU 堆叠数量由 4 颗减至 2 颗，最终规格将在 2026 年下半年验证后确定。

注：本文中包含AI辅助创作的内容。